8"へのファイ2"絶縁の酸化物の層との熱酸化物のシリコンの薄片のNタイプのPタイプ

8"へのファイ2"絶縁の酸化物の層との熱酸化物のシリコンの薄片のNタイプのPタイプ

商品の詳細:

起源の場所: 中国
ブランド名: BonTek
証明: ISO:9001, ISO:14001
モデル番号: シリコンの薄片

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最小注文数量: 25個
価格: Negotiable
パッケージの詳細: カセット/瓶はPEの泡が付いているカートンに、置いた。
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供給の能力: 100000部分/月
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詳細情報

材料: シリコンの薄片 表面: 両面研磨、片面研磨、ラップ
直径: 2" - 12"または要求に応じて 厚さ: 0.05mm〜10mm
オリエンテーション: <100> <111>、 <110> 抵抗率: 0.001 – 300 ohm/cm
タイプ: Pのタイプ、Nのタイプ、真性 添加物: B、PH、ようにまたはUndoped
ハイライト:

ファイ8"シリコンの薄片

,

Nタイプの磨かれたウエファー

,

2" Pタイプのシリコンの薄片

製品の説明

8"へのファイ2"絶縁の酸化物の層との熱酸化物のシリコンの薄片のNタイプのPタイプ

BonTekは良質のケイ素の2 ″からの300mmにすべての直径の熱酸化物のウエファーを提供する。私達は熱酸化物の高い均一層が炉で形作られるようにあなたの特定の条件が主な等級を選び、基質ことをとして自由なシリコンの薄片を逃走することによって満たされることを保障する。

micro-technologyでは、使用される主要な絶縁体はSiO2として元素記号に書かれる二酸化ケイ素である。絶縁の酸化物の層を、層を得るのに使用される共通の技術である熱酸化作り出すためには、使用される。層を得るプロセスは炉で行われる。

8"へのファイ2"絶縁の酸化物の層との熱酸化物のシリコンの薄片のNタイプのPタイプ 08"へのファイ2"絶縁の酸化物の層との熱酸化物のシリコンの薄片のNタイプのPタイプ 18"へのファイ2"絶縁の酸化物の層との熱酸化物のシリコンの薄片のNタイプのPタイプ 2

ウエファーの両側の熱酸化物

フィルム厚さ:100Å –両側の10µm
フィルム厚さの許容:ターゲット±5%
フィルムの圧力:-圧縮320±50 MPa

ウエファーの単一の側面の熱酸化物

フィルム厚さ:100Å –両側の10,000Å
フィルム厚さの許容:ターゲット±5%
フィルムの圧力:圧縮-320±50 MPa

半標準

2" (50.8mm)

3" (76.2mm)

4" (100mm)

5" (125mm)

6" (150mm)

8" (200mm)

12" (300mm)

直径

50.8 ± 0.38mm 76.2 ± 0.63mm 100 ± 0.5mm 125 ± 0.5mm 150 ± 0.2mm 200 ± 0.2mm 300 ± 0.2mm

厚さ

279 ± 25µm 381 ± 25µm 525 ± 20のµmまたは
625 ± 20µm
625 ± 20µm 675 ± 20µmまたは
625 ± 15µm
725 ± 20µm 775 ± 20µm

タイプ

P、Nまたは真性

添加物

B、PH、ようにまたはUndoped

オリエンテーション

<100> <111> <110>

Rsistivity

0.001 – 300 ohm/cm

第一次平らな長さ

15.88 ± 1.65mm 22.22 ± 3.17mm 32.5 ± 2.5mm 42.5 ± 2.5mm 57.5 ± 2.5mm ノッチ ノッチ

二次平らな長さ

8 ± 1.65mm 11.18 ± 1.52mm 18 ± 2.0mm 27.5 ± 2.5mm 37.5 ± 2.5mm NA NA

表面の終わり

エッチングされるか、または重なり合うSSP、DSP

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受入検査

8"へのファイ2"絶縁の酸化物の層との熱酸化物のシリコンの薄片のNタイプのPタイプ 4

1. プロダクトは壊れやすい。私達は十分にそれを詰め、壊れやすい分類した。私達は優秀な国内および国際的な明白な会社を通って交通機関の質を保障するために渡す。

2. 商品を受け取った後、外のカートンが良好であるかどうか確認するために注意して扱えば。注意深く外のカートンを開け、荷箱が一直線上であるかどうか確認しなさい。それらを取る前に映像を撮りなさい。

3. プロダクトが適用されるときクリーン ルームの真空パックを開けなさい。

4. プロダクトが急使の間に傷つけられてあったら、映像を撮るか、またはビデオをすぐに記録しなさい。包装箱から傷つけられたプロダクトを取ってはいけない!私達にすぐに連絡すれば私達は問題をよく解決する。

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