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詳細情報 |
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| 材料: | シリコンの薄片 | 表面: | 両面研磨、片面研磨、ラップ |
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| 直径: | 2" - 12"または要求に応じて | 厚さ: | 0.05mm〜10mm |
| オリエンテーション: | <100> <111>、 <110> | 抵抗率: | 0.001 – 300 ohm/cm |
| タイプ: | Pのタイプ、Nのタイプ、真性 | 添加物: | B、PH、ようにまたはUndoped |
| ハイライト: | リンによって添加されるシリコンの薄片,ほう素によって添加される半導体ウエハー,高い抵抗のシリコンの薄片 |
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製品の説明
ほう素は半導体のための高い抵抗のリンによって添加されたシリコンの薄片を添加した
シリコンの薄片は薄い切れの純粋な結晶化させたケイ素である。ウエファーのこれらの純粋な形態は普通undopedまたは本質的なシリコンの薄片呼ばれる。半導体の企業でシリコンの薄片を使用するための理由の1つは自然な多量のケイ素である。通常SiO2の形で見つけられる地球で見つけられる最も豊富な材料の1時である。ケイ素の使用のもう一つの理由はケイ素の電気特徴が添加物の付加によって正確に制御することができることである。ヒ素かリンと添加されるP-のタイプ ウエファーおよびウエファーを作成するためにほう素のような不純物と添加されるシリコンの薄片はNタイプのウエファーを作成する。Nのタイプ ウエファーにそれで複数の否定的な満たされた電子がある一方Pのタイプ ウエファーに複数の肯定的な満たされた穴がある。
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半標準 |
2" （50.8mm） |
3" （76.2mm） |
4" （100mm） |
5" （125mm） |
6" （150mm） |
8" （200mm） |
12" （300mm） |
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直径 |
50.8 ± 0.38mm | 76.2 ± 0.63mm | 100 ± 0.5mm | 125 ± 0.5mm | 150 ± 0.2mm | 200 ± 0.2mm | 300 ± 0.2mm |
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厚さ |
279 ± 25µm | 381 ± 25µm | 525 ± 20のµmまたは 625 ± 20µm |
625 ± 20µm | 675 ± 20µmまたは 625 ± 15µm |
725 ± 20µm | 775 ± 20µm |
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タイプ |
P、Nまたは真性 |
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添加物 |
B、PH、ようにまたはUndoped |
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オリエンテーション |
<100> <111>、 <110> |
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Rsistivity |
0.001 – 300 ohm/cm |
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第一次平らな長さ |
15.88 ± 1.65mm | 22.22 ± 3.17mm | 32.5 ± 2.5mm | 42.5 ± 2.5mm | 57.5 ± 2.5mm | ノッチ | ノッチ |
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二次平らな長さ |
8 ± 1.65mm | 11.18 ± 1.52mm | 18 ± 2.0mm | 27.5 ± 2.5mm | 37.5 ± 2.5mm | NA | NA |
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表面の終わり |
エッチングされるか、または重なり合うSSP、DSP | ||||||
受入検査
1. プロダクトは壊れやすい。私達は十分にそれを詰め、壊れやすい分類した。私達は優秀な国内および国際的な明白な会社を通って交通機関の質を保障するために渡す。
2. 商品を受け取った後、外のカートンが良好であるかどうか確認するために注意して扱えば。注意深く外のカートンを開け、荷箱が一直線上であるかどうか確認しなさい。それらを取る前に映像を撮りなさい。
3. プロダクトが適用されるときクリーン ルームの真空パックを開けなさい。
4. プロダクトが急使の間に傷つけられてあったら、映像を撮るか、またはビデオをすぐに記録しなさい。包装箱から傷つけられたプロダクトを取ってはいけない!私達にすぐに連絡すれば私達は問題をよく解決する。