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詳細情報 |
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| 材料: | シリコンの薄片 | 表面: | 両面研磨、片面研磨、ラップ |
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| 直径: | 2" - 12"または要求に応じて | 厚さ: | 0.05mm〜10mm |
| オリエンテーション: | <100> <111>、 <110> | 抵抗率: | 0.001 – 300 ohm/cm |
| タイプ: | Pのタイプ、Nのタイプ、真性 | 添加物: | B、PH、ようにまたはUndoped |
| ハイライト: | Nのタイプ シリコンの薄片,2"シリコン基板,12"シリコンの薄片 |
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製品の説明
12"への2"半導体のための高い抵抗のPのタイプNのタイプ シリコンの薄片
単結晶のインゴットからウエファーの処理まで及ぶ統合された方法の半導体のためのBonTekの農産物のシリコンの薄片（12インチまたはより少し）。 私達は両極集積回路、分離した回路およびMEMSの大量生産されたウエファーのための供給方式を主に確立した。
シリコンの薄片は厳密な生産および品質管理システムの下の高純度のケイ素の単結晶を切り、磨き、そしてきれいにすることによって製造される。 直径は4in、5in、6in、8in、および12inchを提供した。
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半標準 |
2" （50.8mm） |
3" （76.2mm） |
4" （100mm） |
5" （125mm） |
6" （150mm） |
8" （200mm） |
12" （300mm） |
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直径 |
50.8 ± 0.38mm | 76.2 ± 0.63mm | 100 ± 0.5mm | 125 ± 0.5mm | 150 ± 0.2mm | 200 ± 0.2mm | 300 ± 0.2mm |
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厚さ |
279 ± 25µm | 381 ± 25µm | 525 ± 20のµmまたは 625 ± 20µm |
625 ± 20µm | 675 ± 20µmまたは 625 ± 15µm |
725 ± 20µm | 775 ± 20µm |
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タイプ |
P、Nまたは真性 |
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添加物 |
B、PH、ようにまたはUndoped |
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オリエンテーション |
<100> <111>、 <110> |
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Rsistivity |
0.001 – 300 ohm/cm |
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第一次平らな長さ |
15.88 ± 1.65mm | 22.22 ± 3.17mm | 32.5 ± 2.5mm | 42.5 ± 2.5mm | 57.5 ± 2.5mm | ノッチ | ノッチ |
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二次平らな長さ |
8 ± 1.65mm | 11.18 ± 1.52mm | 18 ± 2.0mm | 27.5 ± 2.5mm | 37.5 ± 2.5mm | NA | NA |
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表面の終わり |
エッチングされるか、または重なり合うSSP、DSP | ||||||
受入検査
1. プロダクトは壊れやすい。私達は十分にそれを詰め、壊れやすい分類した。私達は優秀な国内および国際的な明白な会社を通って交通機関の質を保障するために渡す。
2. 商品を受け取った後、外のカートンが良好であるかどうか確認するために注意して扱えば。注意深く外のカートンを開け、荷箱が一直線上であるかどうか確認しなさい。それらを取る前に映像を撮りなさい。
3. プロダクトが適用されるときクリーン ルームの真空パックを開けなさい。
4. プロダクトが急使の間に傷つけられてあったら、映像を撮るか、またはビデオをすぐに記録しなさい。包装箱から傷つけられたプロダクトを取ってはいけない!私達にすぐに連絡すれば私達は問題をよく解決する。