|
詳細情報 |
|||
| 製品: | 絶縁体のLiNbO3 | 直径: | 4インチ、6インチ |
|---|---|---|---|
| 最上層: | ニオブ酸リチウム | 上の厚さ: | 300~600nm |
| 日射: | SiO2熱酸化物 | 日射の厚さ: | 2000±15nm;3000±50nm;4700±100nm |
| サポート層: | 溶融したシリカ | 適用する: | 光学導波管およびMicrowaveguides |
| ハイライト: | 6インチ LNOI ウェーファー,高性能 オプティカル通信 LNOI ウェーファー,コンパクトなLNOIウエフラー |
||
製品の説明
4インチ6- インチLNOI ワッフル コンパクトで高性能な光通信のための完璧な選択
わかった超低損失LNOIウエファーで光学を革命させるわかった
わかった次世代リチウムニオバート・オン・イソレーター (LNOI) プラットフォームわかった
最先端のLNOIウエファーで 統合光学における前例のない性能を 解き放つステキオメトリクなLiNbO3薄膜と熱酸化されたSiO2埋葬層を組み合わせるワッフルが届きます>30倍の非線形効率CMOS対応の製造が可能になります.
重要な利点
✓突破的なEO性能:R33 >30pm/Vで>100GHzのモジュレーション帯域幅を達成し,800G/1.6Tコアレントトランシーバーに最適です.
✓ 量子準備精度: 絡み合っている光子生成に 5 nm の域誤差でカスタム周期的なポーリング (PPLN)
✓電源強化設計: >10 MW/cm2の光学強さに耐える (Telcordia GR-468認証)
申し込み
▷ 5G/6G超コンパクトのEOモジュレーター
▷ トポロジカル・フォトニック・サーキット&光学コンピューティング
▷ 量子周波数変換器 (C/L帯から通信帯へ)
▷ 高感度LiDAR光検出器
テクニカル仕様
• ワッフルサイズ:直径100/150mm (2"から6"までカスタマイズ可能)
• LiNbO3 層:X切/Z切,厚さ300±5nm (標準)
• 埋葬酸化物: 1-3 μm SiO2,分解電圧 > 200 V/μm
基板:高抵抗性Si (>5 kΩ·cm)
| LNOI ウェーファー | |||
| 構造 | LN / SiO2/ ええ | LTV / PLTV | < 1.5 μm (5ほら5mm2) /95% |
| 直径 | Φ100 ± 0.2 mm | エッジ除外 | 5mm |
| 厚さ | 500 ± 20 μm | 身をかがめる | 50μm以内 |
| 主要平面長さ | 47.5 ± 2 mm 57.5 ± 2 mm |
エッジトリミング | 2 ± 0.5 mm |
| ワッフルベーリング | R型 | 環境問題 | ロス20 |
| 上部LN層 | |||
| 平均厚さ | 400/600±10 nm | 統一性 | <40nm @17ポイント |
| 屈折指数 | 2 ではない2800, ne < 2.2100 @ 633 nm | オリエンテーション | X軸 ± 0.3° |
| グレード | オプティカル | 表面 Ra | <0.5 nm |
| 欠陥 | >1mm 無 ほら1mm 合計300m以内に |
デラミネーション | ない |
| スクラッチ | >1cm ない ほら1cm 3cm以内 |
主要フラット | +Y軸に垂直で ± 1° |
| 隔離物 SiO2層 | |||
| 平均厚さ | 2000nm ± 15nm 3000nm ± 50nm 4700nm ± 100nm | 統一性 | < ±1% @17ポイント |
| ファブ 方法 | 熱酸化物 | 屈折指数 | 1.45-1.47 @ 633 nm |
| 基板 | |||
| 材料 | そうだ | オリエンテーション | <100> ± 1° |
| 主要的な平面方向性 | <110> ± 1° | 耐性 | > 10 kΩ·cm |
| 裏側 の 汚染 | 目に見える汚れがない | 裏側 | エッチ |
この製品の詳細を知りたい