|
詳細情報 |
|||
| プロダクト: | 絶縁体のLiTaO3 | 直径: | 4インチ、Φ100mm |
|---|---|---|---|
| 最上層: | リチウムTantalate | 上の厚さ: | 300~600nm |
| 日射: | SiO2熱酸化物 | 日射の厚さ: | 2000±15nm;3000±50nm;4700±100nm |
| 基質: | シリコンの薄片 | 適用: | 光学導波管およびMicrowaveguides |
| ハイライト: | 絶縁体の光通信のリチウムTantalate,LTOIの圧電気のウエファー |
||
製品の説明
高度の光通信の適用のための絶縁体（LTOI）のリチウムTantalateの潜在性の鍵を開けること
LTOIは絶縁体のリチウムTantalateを、である統合されたphotonicsの分野で使用される専門にされた基質の技術意味する。それは絶縁の基質にリチウムtantalate （LiTaO3）の水晶、普通二酸化ケイ素（SiO2）または窒化珪素（Si3N4）の薄層の移動を含む。LTOIの基質は密集した、高性能光通信装置の開発のための独特な利点がある。
LTOIの基質はリチウムtantalateの水晶の薄層が絶縁の基質に移る接着プロセスによって作成される。このプロセスをさまざまな技術によって、ウエファーの結合またはイオン切断を含んで達成することができ層間の強い結束を保障する。
LTOIの基質は高度の光通信の適用のための独特な利点がある。電気光学変調器、導波管、非線形光学装置、センサー、量のphotonicsおよび統合された光通信回路の利用は広い応用範囲および統合されたphotonicsの技術の境界を押すための潜在性を示す。
| LTOIのウエファー | |||
| 構造 | LiTaO3/SiO2/Si | LTV/PLTV | < 1="">∗ 5 mm2の）/95% |
| 直径 | Φ100 ± 0.2 mm | 端Exclution | 5つのmm |
| 厚さ | 500 ± 20のμm | 弓 | 50 μmの中では |
| 第一次平らな長さ | 47.5 ± 2つのmm 57.5 ± 2つのmm |
端のトリミング | 2 ± 0.5 mm |
| ウエファーの斜角が付くこと | タイプRの | 環境 | Rohs 2.0 |
| 上のLT層 | |||
| 平均厚さ | 400/600±10 nm | 均等性 | < 40nm=""> |
| 屈折の索引 | > 2.2800無し、ne < 2=""> | オリエンテーション | Z軸の± 0.3° |
| 等級 | 光学 | 表面のRA | < 0=""> |
| 欠陥 | >1mmどれも; ≦300の合計内の1つのmm |
薄片分離 | どれも |
| 傷 | >1cmどれも; 3の内の≦1cm |
第一次平たい箱 | 垂直への+ Ｙ軸の± 1° |
| 分離SiO2つの層 | |||
| 平均厚さ | 2000nm ± 15nm 3000nmの± 50nm 4700nmの± 100nm | 均等性 | <> |
| すてき。方法 | 熱酸化物 | 屈折の索引 | 1.45-1.47 @ 633 nm |
| 基質 | |||
| 材料 | Si | オリエンテーション | <100> ± 1° |
| 第一次平らなオリエンテーション | <110> ± 1° | 抵抗 | > 10 kΩ·cm |
| 裏側の汚染 | 目に見える汚れ無し | 裏側 | 腐食 |
この製品の詳細を知りたい