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詳細情報 |
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| プロダクト: | 絶縁材でPiezo | 直径: | 4インチ、6インチ |
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| 最上層: | ニオブ酸リチウム | 上の厚さ: | 300~600nm |
| 日射: | SiO2熱酸化物 | 日射の厚さ: | 2000±15nm;3000±50nm;4700±100nm |
| 基質: | ケイ素 | 適用: | 光学導波管およびMicrowaveguides |
| ハイライト: | 高速調節圧電気のウエファー,広い帯域幅の圧電気のウエファー,LNOI POIの圧電気のウエファー |
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製品の説明
LNOI POIの高速調節そして広い帯域幅を可能にすること
絶縁材（POI）でPiezo圧電気材料が絶縁の基質に統合される技術を参照する。これは圧電効果の利用を電気分離を提供している間可能にする。感知、適用を収穫する作動およびエネルギーのための圧電気材料の独特な特性を利用するシステムおよびPOIの技術はさまざまな装置の開発を可能にする。
POIの（絶縁材でPiezo）技術は電気分離と圧電気材料の利点を結合する機能による異なった分野でさまざまな適用を見つける。センサーのような、Microelectromechanicalシステムおよびエネルギー蓄積および生成。
絶縁の基質に圧電気材料の多様な分野の革新的な解決のための可能性を、電子工学を含んで、エネルギー開発するために、統合の多様性ヘルスケア、およびもっと。
| LNOIのウエファー | |||
| 構造 | LN/SiO2/Si | LTV/PLTV | < 1="">∗ 5 mm2の）/95% |
| 直径 | Φ100 ± 0.2 mm | 端Exclution | 5つのmm |
| 厚さ | 500 ± 20のμm | 弓 | 50 μmの中では |
| 第一次平らな長さ | 47.5 ± 2つのmm 57.5 ± 2つのmm |
端のトリミング | 2 ± 0.5 mm |
| ウエファーの斜角が付くこと | タイプRの | 環境 | Rohs 2.0 |
| 上LNの層 | |||
| 平均厚さ | 400/600±10 nm | 均等性 | < 40nm=""> |
| 屈折の索引 | > 2.2800無し、ne < 2=""> | オリエンテーション | Ｘ軸の± 0.3° |
| 等級 | 光学 | 表面のRA | < 0=""> |
| 欠陥 | >1mmどれも; ≦300の合計内の1つのmm |
薄片分離 | どれも |
| 傷 | >1cmどれも; 3の内の≦1cm |
第一次平たい箱 | 垂直への+ Ｙ軸の± 1° |
| 分離SiO2つの層 | |||
| 平均厚さ | 2000nm ± 15nm 3000nmの± 50nm 4700nmの± 100nm | 均等性 | <> |
| すてき。方法 | 熱酸化物 | 屈折の索引 | 1.45-1.47 @ 633 nm |
| 基質 | |||
| 材料 | Si | オリエンテーション | <100> ± 1° |
| 第一次平らなオリエンテーション | <110> ± 1° | 抵抗 | > 10 kΩ·cm |
| 裏側の汚染 | 目に見える汚れ無し | 裏側 | 腐食 |
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