|
詳細情報 |
|||
| プロダクト: | 絶縁体のLiNbO3 | 直径: | 4インチ、Φ100mm |
|---|---|---|---|
| 最上層: | ニオブ酸リチウム | 上の厚さ: | 300~600nm |
| 日射: | SiO2熱酸化物 | 日射の厚さ: | 2000±15nm;3000±50nm;4700±100nm |
| 基質: | ケイ素 | 適用: | 光学導波管およびMicrowaveguides |
| ハイライト: | LNOIの圧電気のウエファー,4インチLNOIのウエファー,絶縁体の300nm LiNbO3 |
||
製品の説明
4インチLNOIのウエファーとの密集した光通信の統合の達成
LNOIは統合されたphotonicsの分野で使用される専門にされた基質の技術である絶縁体のリチウム ニオブ酸塩を意味する。LNOIの基質は絶縁の基質にリチウム ニオブ酸塩（LiNbO3）の水晶、普通二酸化ケイ素（SiO2）または窒化珪素（Si3N4）の薄層の移動によって製造される。この技術は密集した、高性能光通信装置の開発のための独特な利点がある。
LNOIの基質の製作はウエファーの結合またはイオン切断のような技術を使用して絶縁層にLiNbO3の薄層を結ぶことを含む。これはLiNbO3が電気分離を提供し、光学導波管の損失を減らす非導電基質で中断される構造で起因する。
LNOIの適用:
- 統合されたPhotonics
- 光通信
- 感知および度量衡学
- Quantumの光学
| LNOIのウエファー | |||
| 構造 | LN/SiO2/Si | LTV/PLTV | < 1="">∗ 5 mm2の）/95% |
| 直径 | Φ100 ± 0.2 mm | 端Exclution | 5つのmm |
| 厚さ | 500 ± 20のμm | 弓 | 50 μmの中では |
| 第一次平らな長さ | 47.5 ± 2つのmm 57.5 ± 2つのmm |
端のトリミング | 2 ± 0.5 mm |
| ウエファーの斜角が付くこと | タイプRの | 環境 | Rohs 2.0 |
| 上LNの層 | |||
| 平均厚さ | 400/600±10 nm | 均等性 | < 40nm=""> |
| 屈折の索引 | > 2.2800無し、ne < 2=""> | オリエンテーション | Ｘ軸の± 0.3° |
| 等級 | 光学 | 表面のRA | < 0=""> |
| 欠陥 | >1mmどれも; ≦300の合計内の1つのmm |
薄片分離 | どれも |
| 傷 | >1cmどれも; 3の内の≦1cm |
第一次平たい箱 | 垂直への+ Ｙ軸の± 1° |
| 分離SiO2つの層 | |||
| 平均厚さ | 2000nm ± 15nm 3000nmの± 50nm 4700nmの± 100nm | 均等性 | <> |
| すてき。方法 | 熱酸化物 | 屈折の索引 | 1.45-1.47 @ 633 nm |
| 基質 | |||
| 材料 | Si | オリエンテーション | <100> ± 1° |
| 第一次平らなオリエンテーション | <110> ± 1° | 抵抗 | > 10 kΩ·cm |
| 裏側の汚染 | 目に見える汚れ無し | 裏側 | 腐食 |
この製品の詳細を知りたい