• 半導体のための単一の側面の磨かれた正方形SrTiO3の水晶ウエファー10mm
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半導体のための単一の側面の磨かれた正方形SrTiO3の水晶ウエファー10mm

半導体のための単一の側面の磨かれた正方形SrTiO3の水晶ウエファー10mm

商品の詳細:

起源の場所: 中国
ブランド名: BonTek
証明: ISO:9001, ISO:14001
モデル番号: SrTiO3水晶

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価格: 交渉可能
パッケージの詳細: カセット/ジャーパッケージ、真空密封
受渡し時間: 1-4週
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詳細情報

材料: SrTiO3単結晶 オリエンテーション: <100>、の<110>、<111>±0.5o
結晶構造: 立方システム(a=3.905Å) 密度: 5.175g/cm3
表面: 磨かれる単一の側面 CTE: 10.4 ppm/℃
成長方法: 炎方法 比誘電率: 9.8
ハイライト:

単一の側面の磨かれたSrTiO3水晶ウエファー

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SrTiO3水晶ウエファー10mm

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半導体SrTiO3の単結晶

製品の説明

10mmの半導体のための正方形SrTiO3水晶ウエファー

 

SrTiO3単結晶にペロプスカイトの構造材料のよい格子構造がある。HTSおよびほとんどの酸化物フィルムのエピタキシアル成長のために、SrTiO3単結晶は優秀な基質材料である。それは高温超伝導の薄膜の調査で広く利用されて、また特別な光学Windowsおよび良質の放出させるターゲットで広く利用された。

 

 

半導体のための単一の側面の磨かれた正方形SrTiO3の水晶ウエファー10mm 0半導体のための単一の側面の磨かれた正方形SrTiO3の水晶ウエファー10mm 1半導体のための単一の側面の磨かれた正方形SrTiO3の水晶ウエファー10mm 2

 

SrTiO3の水晶
結晶構造 立方システム(a=3.905Å)
密度 5.175g/cm3
添加物 本質的、Feは、添加されたネオジム(Nd)添加されたニオブ添加した
熱膨張率 10.4ppm/℃
比誘電率 9.8
オリエンテーション <100><110><111>±0.5o要求に応じて
次元 Dia30×0.5mm、20×20×0.5mm、15×15×0.5mm 10×10×0.5mm、10×5×0.5mm、5×5×0.5mm
表面の終わり 单面或双面抛光
表面の粗さ ≤5Å
パッケージ 100つのクラスのきれいな袋、瓶のパッケージ、フィルムのパッケージ
 

 

 

半導体のための単一の側面の磨かれた正方形SrTiO3の水晶ウエファー10mm 3

 

半導体のための単一の側面の磨かれた正方形SrTiO3の水晶ウエファー10mm 4

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