• 抗力が高いサファイアの磨かれたウエファー3インチのC平面の光学結晶
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抗力が高いサファイアの磨かれたウエファー3インチのC平面の光学結晶

抗力が高いサファイアの磨かれたウエファー3インチのC平面の光学結晶

商品の詳細:

起源の場所: 中国
ブランド名: BonTek
証明: ISO:9001
モデル番号: サファイア(Al2O3)

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最小注文数量: 5部分
価格: 交渉可能
パッケージの詳細: カセット、瓶、フィルムのパッケージ
受渡し時間: 1-4週
支払条件: T/T
供給の能力: 10000部分/月
ベストプライス 連絡先

詳細情報

材料: サファイアのウエファー 成長方法: Kyropoulos方法
融点: 2040年の°C 熱伝導性: 27.21と(K) 300 Kのm X
CTE: 5.6 x 10 -6 /K (平行C軸線)及び5.0 (垂直なC軸線) x 10 -6 /K 硬度: Knoop 2000g圧子との2000 kg/mm 2
比熱容量: 419 J/(K) kg X 誘電性のConst。: 1MHzの11.5 (平行C軸線) 9.4 (垂直なC軸線)
ハイライト:

Sapphire Polished Wafer 3 Inch

,

High Resistance Sapphire Polished Wafer

,

C Plane Optical Crystal Sapphire Wafer

製品の説明

抗力が高いサファイアの磨かれたウエファー3インチのC平面の光学結晶

 

サファイアはアルミナの単結晶で、ダイヤモンドの後に実際のところ最も二番目の堅い材料、である。サファイアに、衝突の抵抗が高力、よく軽い伝送耐久性、耐食性をあり、高温そして高圧抵抗、biocompatibilityは、半導体の光電子工学装置、サファイアの電気特性の生産のための理想的な基質材料それを白くおよび青LEDの生産のための基質材料にならせるである。

 

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項目

3インチのC平面(0001) 500μmのサファイアのウエファー

水晶材料

99,999%の高い純度、モノクリスタルAl2O3

等級

主、Epi準備ができた

表面のオリエンテーション

C平面(0001)

M軸線0.2の方のC平面の以外角度+/- 0.1°

直径

76.2 mm +/- 0.1 mm

厚さ

500 μm +/- 25 μm

第一次平らなオリエンテーション

平面(11-20) +/- 0.2°

第一次平らな長さ

22.0 mm +/- 1.0 mm

磨かれる単一の側面

前部表面

のRA Epi磨かれた < 0="">

(SSP)

背部表面

良い地面、RA = 1.2 μmへの0.8のμm

磨かれる二重側面

前部表面

のRA Epi磨かれた < 0="">

(DSP)

背部表面

のRA Epi磨かれた < 0="">

TTV

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ゆがみ

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/包むクリーニング

きれいになり、真空パックするクラス100のクリーンルーム

包むか、または単一部分の包装1個のカセットの25部分。

 

項目

4インチのC平面(0001) 650μmのサファイアのウエファー

水晶材料

99,999%の高い純度、モノクリスタルAl2O3

等級

主、Epi準備ができた

表面のオリエンテーション

C平面(0001)

M軸線0.2の方のC平面の以外角度+/- 0.1°

直径

100.0 mm +/- 0.1 mm

厚さ

650 μm +/- 25 μm

第一次平らなオリエンテーション

平面(11-20) +/- 0.2°

第一次平らな長さ

30.0 mm +/- 1.0 mm

磨かれる単一の側面

前部表面

のRA Epi磨かれた < 0="">

(SSP)

背部表面

良い地面、RA = 1.2 μmへの0.8のμm

磨かれる二重側面

前部表面

のRA Epi磨かれた < 0="">

(DSP)

背部表面

のRA Epi磨かれた < 0="">

TTV

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ゆがみ

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/包むクリーニング

きれいになり、真空パックするクラス100のクリーンルーム

包むか、または単一部分の包装1個のカセットの25部分。

 

項目

6インチのC平面(0001) 1300μmのサファイアのウエファー

水晶材料

99,999%の高い純度、モノクリスタルAl2O3

等級

主、Epi準備ができた

表面のオリエンテーション

C平面(0001)

M軸線0.2の方のC平面の以外角度+/- 0.1°

直径

150.0 mm +/- 0.2 mm

厚さ

1300のμm +/- 25 μm

第一次平らなオリエンテーション

平面(11-20) +/- 0.2°

第一次平らな長さ

47.0 mm +/- 1.0 mm

磨かれる単一の側面

前部表面

のRA Epi磨かれた < 0="">

(SSP)

背部表面

良い地面、RA = 1.2 μmへの0.8のμm

磨かれる二重側面

前部表面

のRA Epi磨かれた < 0="">

(DSP)

背部表面

のRA Epi磨かれた < 0="">

TTV

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ゆがみ

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/包むクリーニング

きれいになり、真空パックするクラス100のクリーンルーム

包むか、または単一部分の包装1個のカセットの25部分。

 

抗力が高いサファイアの磨かれたウエファー3インチのC平面の光学結晶 3

 

受入検査

抗力が高いサファイアの磨かれたウエファー3インチのC平面の光学結晶 4

 

1. プロダクトは壊れやすい。私達は十分にそれを詰め、壊れやすい分類した。私達は優秀な国内および国際的な明白な会社を通って交通機関の質を保障するために渡す。

 

2. 商品を受け取った後、外のカートンが良好であるかどうか確認するために注意して扱えば。注意深く外のカートンを開け、荷箱が一直線上であるかどうか確認しなさい。それらを取る前に映像を撮りなさい。

 

3. プロダクトが適用されるときクリーン ルームの真空パックを開けなさい。

 

4. プロダクトが急使の間に傷つけられてあったら、映像を撮るか、またはビデオをすぐに記録しなさい。包装箱から傷つけられたプロダクトを取ってはいけない!私達にすぐに連絡すれば私達は問題をよく解決する。

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